| 公开(公告)号 | CN1283255C |
| 公开(公告)日 | 2006.11.08 |
| 申请(专利)号 | CN200410037655.2 |
| 申请日期 | 2004.04.29 |
| 专利名称 | 一种磁性插层结构缓释型5-氨基水杨酸及其制备方法 |
| 主分类号 | A61K31/60(2006.01)I |
| 分类号 | A61K31/60(2006.01)I;A61K9/20(2006.01)I;A61P1/04(2006.01)I;A61P1/00(2006.01)I |
| 分案原申请号 | |
| 优先权 | |
| 申请(专利权)人 | 北京化工大学 |
| 发明(设计)人 | 段 雪;张 慧;孙 辉 |
| 地址 | 100029北京市朝阳区北三环东路15号 |
| 颁证日 | |
| 国际申请 | |
| 进入国家日期 | |
| 专利代理机构 | 北京思海天达知识产权代理有限公司 |
| 代理人 | 何俊玲 |
| 国省代码 | 北京;11 |
| 主权项 | 一种磁性5-氨基水杨酸缓释剂型，其经验化学式为：(M2+)1-x(M3+)x(OH)2(5-ASA-)a(Bn-)b·mH2O/NFe2O4其中M2+是Zn2+、Mg2+、Ni2+、Cu2+、Fe2+、Co2+、Ca2+、Mn2+中的任意一种；M3+是Al3+、Fe3+、Cr3+、V3+、Co3+、Ga3+、Ti3+中的任意一种；5-ASA-为层间的5-氨基水杨酸一价阴离子；Bn-为电荷数为n的无机阴离子，Bn-可以不存在或为CO32-、NO3-、Cl-、Br-、I-、OH-、H2PO4-中的任何一种、二种或三种；0.1＜X＜0.8；a、b分别为5-ASA-、Bn-的数量，且a、b满足a+n×b＝X；m为结晶水数量，0.01＜m＜4；NFe2O4为尖晶石型磁性物种，N是Mg2+、Co2+、Ni2+、Zn2+、Mn2+中的任何一种。 |
| 摘要 | 本发明涉及一种磁性超分子插层结构缓释型5-氨基水杨酸及其制备方法。本发明以尖晶石型NFe2O4为磁性物种，阴离子层状材料LDHs为主体，5-氨基水杨酸为插层客体，先将尖晶石纳米粉体加入含二价、三价金属离子的可溶性混合盐溶液中，再同含5-氨基水杨酸的碱溶液经插层组装得到超分子结构5-ASA-LDHs/NFe2O4。该磁性5-氨基水杨酸缓释剂为壳核型结构组成，即在NFe2O4纳米颗粒外包覆层状材料5-ASA-LDHs，其比饱和磁化强度为1.0-4.0emu/g，其颗粒粒度在25-120nm左右。本发明赋予药物以磁性，在外磁性的引导下可靶向药物至病灶部位，可缩短治疗时间、提高治疗效果。 |
| 国际公布 |
