公开(公告)号 | CN1324041C |
公开(公告)日 | 2007.07.04 |
申请(专利)号 | CN03116103.0 |
申请日期 | 2003.04.01 |
专利名称 | 替勃龙晶型I的制备方法 |
主分类号 | C07J1/00(2006.01)I |
分类号 | C07J1/00(2006.01)I |
分案原申请号 | |
优先权 | |
申请(专利权)人 | 上海迪赛诺医药科技开发有限公司;上海迪赛诺化工有限公司 |
发明(设计)人 | 蒋志保 |
地址 | 201908上海市宝山区沪太路6950号(N区104号) |
颁证日 | |
国际申请 | |
进入国家日期 | |
专利代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 |
代理人 | 孙跃虹 |
国省代码 | 上海;31 |
主权项 | 替勃龙晶型I的制备方法,其特征在于该方法包括下列步骤:(1)惰性气体保护下,在含替勃龙的有机溶液中加入0.1%~0.5%,v/v的稳定剂;所述含替勃龙的有机溶液是指溶解有替勃龙II型晶体、不定型体或I型和II型晶体的混晶产品的有机溶液;(2)滴加体积是有机溶剂0.2~0.8倍量的水,搅拌析出结晶,控制温度在0~40℃;(3)在此温度下继续搅拌滴加水,最终使水与有机溶剂的体积比的比值是1~3;(4)降温至-5~20℃结晶,过滤,固体真空干燥,即得。 |
摘要 | 本发明涉及替勃龙晶型Ⅰ的制备方法,该方法是将水滴加到溶解有替勃龙Ⅱ型晶体、不定型体或Ⅰ型和Ⅱ型晶体的混晶产品的有机溶液中,通过控制加入水的比例,在一定温度下使结晶体系自身析出Ⅰ型晶体,并以此Ⅰ型晶体为晶种,诱导结晶出大量Ⅰ型晶体。本发明方法操作简便、稳定、重现性好,易于控制,适合工业化大规模生产。 |
国际公布 |