| 公开(公告)号 | CN1969815A |
| 公开(公告)日 | 2007.05.30 |
| 申请(专利)号 | CN200610154913.4 |
| 申请日期 | 2006.11.29 |
| 专利名称 | 一种姜黄素缓释剂及其制备方法 |
| 主分类号 | A61K9/00(2006.01)I |
| 分类号 | A61K9/00(2006.01)I;A61K9/22(2006.01)I;A61K9/52(2006.01)I;A61K47/02(2006.01)I;A61K31/122(2006.01)I;A61P3/06(2006.01)I;A61P29/00(2006.01)I;A61P35/00(2006.01)I;A61P39/06(2006.01)I |
| 分案原申请号 | |
| 优先权 | |
| 申请(专利权)人 | 浙江工业大学 |
| 发明(设计)人 | 倪哲明;王力耕;邢方方;潘国祥 |
| 地址 | 310014浙江省杭州市下城区朝晖六区 |
| 颁证日 | |
| 国际申请 | |
| 进入国家日期 | |
| 专利代理机构 | 杭州天正专利事务所有限公司 |
| 代理人 | 黄美娟;袁木棋 |
| 国省代码 | 浙江;33 |
| 主权项 | 一种姜黄素缓释剂，其特征在于所述的缓释剂是以阴离子层状材料水滑石为主体，姜黄素为插层客体的插层水滑石晶体结构，化学组成为： (M2+)1-x(M3+)x(OH)2(Cur)a(Bn-)b·mH2O 其中M2+是Mg2+、Zn2+、Cu2+、Ni2+、Co2+、Mn2+中的一种，M3+是Al3+、Fe3+、Cr3+中的一种，Cur是如式(I)所示结构的插层客体，Bn-是电荷为n的无机阴离子，0＜a≤0.5，x＝M3+/(M2++M3+)，0＜x＜1，x∶a＝2～9，b＝0～0.5且满足x＝2a+nb，m和n为正数， |
| 摘要 | 本发明涉及一种姜黄素缓释剂及其制备方法。所述的缓释剂是以阴离子层状材料水滑石为主体，姜黄素阴离子为插层客体的插层水滑石晶体结构，化学组成为： (M2+)1-x(M3+)x(OH)2(Cur)a(Bn-)b·mH2O其中M2+是Mg2+、Zn2+、Cu2+、Ni2+、Co2+、Mn2+中的一种，M3+是Al3+、Fe3+、Cr3+中的一种，Cur是插层客体，Bn-是电荷为n的无机阴离子，0＜a≤0.5，x＝M3+/(M2++M3+)，0＜x＜1，x：a＝2～9，b＝0～0.5且满足x＝2a+nb，m和n为正数。本发明所述的姜黄素缓释剂的释放效果要优于单纯的姜黄素在相同释放介质中的释放效果，这使得姜黄素在体内的利用度大大提高，同时还提高了姜黄素的药物活性，具有产业上的应用价值。 |
| 国际公布 |
