| 公开(公告)号 | CN1947700A |
| 公开(公告)日 | 2007.04.18 |
| 申请(专利)号 | CN200610113326.0 |
| 申请日期 | 2006.09.22 |
| 专利名称 | 一种磁性超分子插层结构缓释型布洛芬及其制备方法 |
| 主分类号 | A61K9/00(2006.01)I |
| 分类号 | A61K9/00(2006.01)I;A61K31/192(2006.01)I;A61K47/02(2006.01)I;A61P29/00(2006.01)I |
| 分案原申请号 | |
| 优先权 | |
| 申请(专利权)人 | 北京化工大学 |
| 发明(设计)人 | 张 慧;盘登科;文 杏 |
| 地址 | 100029北京市朝阳区北三环东路15号 |
| 颁证日 | |
| 国际申请 | |
| 进入国家日期 | |
| 专利代理机构 | 北京科大华谊专利代理事务所 |
| 代理人 | 刘月娥 |
| 国省代码 | 北京;11 |
| 主权项 | 一种磁性超分子插层结构缓释型布洛芬，晶体结构为类水滑石材料的晶体结构，其特征在于：(M2+)1-x(N3+)x(OH)2(IBU-)a(Bn-)b·mH2O·kM’Fe2O4。其中(M2+)1-x(N3+)x(OH)2(IBU-)a(Bn-)b·mH2O简写为IBU-LDHs，M’Fe2O4为磁性物种，IBU-LDHs为包覆在M’Fe2O4外的布洛芬插层水滑石；其质量百分含量为：M’Fe2O4：4％～35％，IBU-LDHs：96％～65％，IBU：20％～50％；其中M2+为二价金属离子Zn2+、Mg2+中的任何一种；N3+为三价金属离子Al3+、Fe3+中的任何一种；M’为Mg2+、Ni2+、Co2+二价金属离子其中的任何一种，M2+与M’相同或不同；IBU-代表层间一价布洛芬阴离子；Bn-为荷电量为n的无机阴离子，IBU-LDHs化学式中Bn-不存在或为CO32-、NO3-、Cl-、OH-中的任何1～3种；x＝N3+/(M2++N3+)，0＜x＜1；a、b分别为IBU-、Bn-的数量，且满足a+n×b＝x，m为结晶水数，0＜m＜5，k为M’Fe2O4分子系数。 |
| 摘要 | 一种磁性超分子插层结构缓释型布洛芬及其制备方法，属于磁性缓释剂药物技术领域。以尖晶石为磁性物种，阴离子层状材料LDHs为主体，布洛芬为客体，将两种可溶性金属盐配置成的混合盐溶液，同时加入尖晶石粉体再与布洛芬的碱溶液经插层组装得到具有超分子结构的磁性药物水滑石，制备了一种新型的磁性超分子插层结构缓释型布洛芬，可以控制布洛芬释放速度。由于布洛芬插层在水滑石层间，可以减弱其不适口味，提高其生物利用度，并通过外加磁场达到提高分散性和靶向定位的效果。 |
| 国际公布 |
