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半导体元件与内连线结构及各自的制作方法

医药数据库中心 药学论坛 联华电子股份有限公司/姜元升;陈炫旭
公开(公告)号 CN1971921A  
公开(公告)日 2007.05.30  
申请(专利)号 CN200510126854.5  
申请日期 2005.11.24  
专利名称 半导体元件与内连线结构及各自的制作方法  
主分类号 H01L27/144(2006.01)I  
分类号 H01L27/144(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I  
分案原申请号  
优先权  
申请(专利权)人 联华电子股份有限公司  
发明(设计)人 元升;陈炫旭  
地址 中国台湾新竹科学工业园区  
颁证日  
国际申请  
进入国家日期  
专利代理机构 北京市柳沈律师事务所  
代理人 陶凤波;侯 宇  
国省代码 台湾;TW  
主权项 一种半导体元件,包括: 一基底,该基底具有一第一区域与一第二区域,其中该第二区域为一光感测区; 一晶体管,配置于该第一区域的该基底上; 一硬掩模层,配置于该第二区域的该基底上;以及 一抗反射层,配置于该硬掩模层与该基底之间。  
摘要 一种半导体元件,此半导体元件包括一基底、一晶体管、一硬掩模层与一抗反射层。基底具有第一区域与第二区域,其中第二区域为光感测区。晶体管配置于第一区域的基底上。硬掩模层配置于第二区域的基底上。抗反射层配置于硬掩模层与基底之间。  
国际公布  
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